（观察者网讯）4月16日，三星官网发布消息称，三星电子已经成功完成5纳米（nm）极紫外光刻（EUV）开发，以实现芯片的更大面积扩展和带来超低功耗。

三星电子称，其5nmFinFET工艺技术的开发已经完成，现在可以为客户提供样品。通过在其基于EUV的工艺产品中添加另一个尖端节点，三星称再次证明了其在先进晶圆代工市场的领导地位。

与7nm相比，三星的5nm FinFET工艺技术将逻辑区域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%，从而能够拥有更多创新的标准单元架构。

三星称，5nm的另一个主要优点是可以将所有7nm知识产权（IP）重用到5nm。因此，7nm客户过渡到5nm将极大地受益于降低的迁移成本，预先验证的设计生态系统，从而缩短他们的5nm产品开发时间。

“成功完成5nm开发，我们已经证明了我们在基于EUV的节点中的能力，”三星电子铸造业务执行副总裁Charlie Bae说。“为响应客户对先进工艺技术不断增长的需求，以区分其下一代产品，我们继续致力于加速基于EUV技术的批量生产。”